- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
Détention brevets de la classe H01L 23/532
Brevets de cette classe: 7535
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
1708 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
589 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
510 |
| Intel Corporation | 45621 |
347 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
251 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
213 |
| Nanya Technology Corporation | 2000 |
182 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
163 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
154 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
122 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
117 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
113 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
111 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
98 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
96 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
95 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
81 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
71 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
67 |
| Tessera LLC | 246 |
64 |
| Autres propriétaires | 2383 |